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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF8S9170NR3 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 920--960 MHz, 50 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA Perfor | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF8S9170NR3 | RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：463.89 Kbytes Page：13 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF8S9170NR3 | 封装/外壳：OM-780-2 包装：管件 描述：FET RF 70V 920MHZ OM780-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
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MRF8S9170NR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8S9170NR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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