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RFPowerFieldEffectTransistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to 2170MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

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飞思卡尔

freescale

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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MRF7S21110HSR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S21110HSR

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NI780HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-6-21 18:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NI780S
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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