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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF7S21110H | RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC |   |
MRF7S21110H | 2110-2170 MHz, 33 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：408.84 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 文件：408.84 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF7S21110H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF7S21110H
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV7 33W WCDMA NH780H
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2023+ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
||||
FREESCALE |
24+ |
NI-780S |
30000 |
只做正品原装现货 |
|||
FREESCALE |
2308+ |
NI-780S |
4580 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证公司现货 |
|||
FREESCALE |
23+ |
高频管 |
5 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FREESCALE |
24+ |
NI-780S |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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FREESCALE |
09+ |
高频管 |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FREESCALE |
22+ |
NI-780S |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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FREESCALE |
23+ |
TO-63 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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FREESCALE |
24+ |
射频管 |
3500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
Freescale |
24+ |
NH780H |
750 |
原装现货假一罚十 |
MRF7S21110H规格书下载地址
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