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MRF7S19120NR1

RF Power Field Effect Transistor

1930-1990 MHz, 36 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Perform

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF7S19120NR1

封装/外壳:TO-270AB 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF7S19120NR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:517.78 Kbytes Page:14 Pages

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF7S19120NR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF7S19120NR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 1990MHZ 36W

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-12 9:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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TO-270
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