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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MRF6VP21KHR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 10--235 MHz, 1000 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed primarily for pulsed wideband applications with frequencies up to 235 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in industrial, medical and scientific applications. • Typical Pulsed Performance at 225 MHz: VDD | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | ||
MRF6VP21KHR6 | RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件:708.56 Kbytes Page:11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | ||
MRF6VP21KHR6 | 封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件:708.56 Kbytes Page:11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |
MRF6VP21KHR6产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6VP21KHR6
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREECALLE |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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FREESCALE |
18+ |
NI1230 |
12500 |
全新原装正品,本司专业配单,大单小单都配 |
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恩XP |
22+ |
NI1230 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FREESCALE |
24+ |
30000 |
一级代理现货、保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
||||
FRESSCAL |
24+ |
SMD |
25 |
||||
FREESCALE |
23+ |
BGA |
2503 |
原厂原装正品 |
|||
FREESCALE |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Freescale |
23+ |
高频管 |
155 |
专营高频管模块,全新原装! |
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