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MRF6VP11KGSR5

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6VP11KGSR5

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

MRF6VP11KGSR5

封装/外壳:NI-1230S-4 GW 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF6VP11KGSR5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6VP11KGSR5

  • 功能描述

    射频双极电源晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    40

  • 最大工作频率

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    4 V

  • 集电极连续电流

    20 A

  • 功率耗散

    250 W

  • 封装/箱体

    Case 211-11

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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