型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF6V12250HS

Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件:1.27963 Mbytes Page:13 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

ETC

知名厂家

MRF6V12250HS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6V12250HS

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-9-30 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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NI-780S
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