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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 1090 MHz, 250 W, 50 V PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications. • Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 250 mA, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 100V 1.09GHZ NI780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6V10250HS产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6V10250HS
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 VHV6 250W AVIONIC NI780S
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
FSL |
23+ |
原厂原包装 |
6000 |
全新原装假一赔十 |
|||
恩XP |
15+ |
TO-59 |
26 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSL |
24+ |
38 |
现货供应 |
||||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
FREESCALE |
25+23+ |
NI-780 |
29755 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
恩XP |
2022+ |
50 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
||||
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||||
恩XP |
22+ |
NI780S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2019-11-30
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