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RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

1090MHz,10W,50VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET RFPowertransistordesignedforapplicationsoperatingatfrequenciesbetween960and1400MHz,1to20dutycycle.Thisdeviceissuitableforuseinpulsedapplications. •TypicalPulsedPerformance:VDD=50Volts,IDQ=10mA,P

freescaleFreescaleiscreatingasmarter

飞思卡尔

freescale

RFPowerFieldEffectTransistor

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp
更新时间:2024-6-22 8:38:01
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