MRF6V10010NR4价格

参考价格:¥329.2285

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MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1090 MHz, 10 W, 50 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications. • Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor

ETC

知名厂家

MRF6V10010NR4

封装/外壳:PLD-1.5 包装:托盘 描述:FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF6V10010NR4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6V10010NR4

  • 制造商

    Freescale

  • 功能描述

    MRF6V10010N Series 1090 MHz 10 W 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

更新时间:2025-10-6 23:00:00
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FREESCALE
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NA/
3310
原装现货,当天可交货,原型号开票
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