型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF6S9045NR1

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RF Power Field Effect Transistors

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9045NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9045NR1

封装/外壳:TO-270AA 包装:卷带(TR) 描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor

880 MHz, 10 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applica

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S9045NR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S9045NR1

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-10-10 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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