型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF6S19100HR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S19100HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:427.96 Kbytes Page:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S19100HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:413.11 Kbytes Page:11 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S19100HR3

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:427.96 Kbytes Page:12 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件:413.11 Kbytes Page:11 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S19100HR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S19100HR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6 WCDMA 22W NI780H

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-8 14:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
24+
SMD
1680
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十
恩XP
22+
NI780
9000
原厂渠道,现货配单
FREESCAL
23+
高频管
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
FREESCALE
24+
NA/
3267
原装现货,当天可交货,原型号开票
FREESCALE
0547+
193
原装现货
FREESCALE
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Freescale
23+
高频管
750
专营高频管模块,全新原装!
FREESCALE
2023+
SMD
8635
一级代理优势现货,全新正品直营店
FREESCALE
21+
高频管
1356
绝对有现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十!
FREESCALE/飞思卡尔
25+
NI-780
32360
FREESCALE/飞思卡尔全新特价MRF6S19100HR3即刻询购立享优惠#长期有货

MRF6S19100HR3数据表相关新闻