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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
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MRF6S19100HR3	封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR）描述：FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
MRF6S19100HR3_06	RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs 文件：427.96 Kbytes Page：12 Pages	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔
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更新时间：2024-5-14 9:12:00

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MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管
2021-2-3
MRF6V3090NBR1射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
MRF6V3090NBR1射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管
2020-11-24
MRF186，MRF187，MRF19030，MRF19030L，MRF19030LS，MRF19030S
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2020-3-26
MRF6S21140HR5，MRF6S21140HS，MRF6S21140HSR5，MRF6S21190H
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