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MRF6S18060NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Vdc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S18060NBR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF6S18060NBR1

封装/外壳:TO-272BB 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF6S18060NBR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S18060NBR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-14 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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