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MRF6S18060NBR1

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforGSMandGSMEDGEbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMA,andmulticarrieramplifierapplications. GSMApplication •TypicalGSMPerformance:VDD=26Vdc

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飞思卡尔

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MRF6S18060NBR1

RFPowerFieldEffectTransistorsN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs

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飞思卡尔

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MRF6S18060NBR1

封装/外壳:TO-272BB 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

MRF6S18060NBR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6S18060NBR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 1880MHZ 60W

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2024-5-11 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
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