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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2600-2700 MHz, 35 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 2600 to 2700 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for WLL applications. • Typical

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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RF Power Field Effect Transistor

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封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

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MRF6P27160产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF6P27160

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

更新时间:2025-8-7 15:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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