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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 2110-2170 MHz, 44 W AVG., 28 V 2 x W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | ||
封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：RF MOSFET LDMOS 28V NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：NI-1230 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：437.07 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：437.07 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistor 文件：712.85 Kbytes Page：11 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF6P21190H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6P21190H
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6 44W W/CDMA
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
FRESSCALE |
24+ |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
||||
FREESCALE |
0804+ |
NI-1230 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Freesca |
2015+ |
NI-1230 |
3526 |
原装原包假一赔十 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
NI-1230 |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCALE |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
恩XP |
22+ |
NI1230 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Freescale |
24+ |
45 |
|||||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
MRF6P21190H规格书下载地址
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