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MRF5S9150HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

880 MHz, 33 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. • Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 1500 mA, Po

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S9150HSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S9150HSR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-6 19:29:00
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