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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S9101MBR1 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts, IDQ = 700 mA, | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S9101MBR1 | 封装/外壳：TO-272BB 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 68V 960MHZ TO2724 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S9101MBR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S9101MBR1
- 功能描述
MOSFET RF N-CH 26V 100W TO2724
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
FREESCALE |
2450+ |
6540 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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MOTOROLA |
24+ |
50 |
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恩XP |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
Freescale |
24+ |
TO-272 |
1500 |
原装现货假一罚十 |
|||
恩XP |
22+ |
TO272 WB4 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREESCALE |
24+ |
273 |
现货供应 |
||||
FREESCALE |
24+ |
TO272 |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
|||
FSL |
24+ |
NA/ |
134 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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