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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. GSM Application • Typical GSM Performance: VDD = 26 Volts

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-8-8 23:00:01
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