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MRF5S21150R3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/ce l lu lar r

Motorola

摩托罗拉

MRF5S21150R3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S21150R3

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

更新时间:2025-8-9 11:21:00
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