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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S21100HSR3 | To be Used in class AB for PCN-PCS/cellularradio and WLL applications. RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S21100HSR3 | 封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF5S21100HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S21100HSR3
- 功能描述
MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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