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MRF5P21240R6

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cell

Motorola

摩托罗拉

MRF5P21240R6

2170 MHz, 52 W Avg., 2 x W-CDMA, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF5P21240R6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5P21240R6

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-10-18 11:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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