位置:首页 > IC中文资料第966页 > MRF555T

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF555T

封装/外壳:超大功率 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS NPN 16V POWER MACRO 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

MICROSEMI

美高森美

MRF555T

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

MICROCHIP

微芯科技

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range. • Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ) Efficiency 60 (Typ) • Cost Effective PowerMac

MOTOROLA

摩托罗拉

TIMER

文件:209.34 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

TIMER

文件:209.34 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

TIMER

文件:209.34 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

TIMER

文件:209.34 Kbytes Page:6 Pages

NJRC

日本无线

MRF555T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF555T

  • 功能描述

    射频放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

MRF555T数据表相关新闻