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MRF377HR3

RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

470 - 860 MHz, 45 W AVG., 32 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in 3

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF377HR3

RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF377HR3

封装/外壳:NI-860C3 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 860MHZ NI-860C 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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MRF377HR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF377HR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 250W 860MHZ 32V

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-10 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
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