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MRF284LR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. To be used in Class A and Class AB for PCN-PCS/cellular ra

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2026-5-17 21:20:00
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