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MRF21090R3_06

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical W-CDMA Performance for 2140 MHz, 28 Volts 4.096 MHz BW

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21090R3_06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21090R3_06

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2025-10-5 8:31:00
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