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MRF21085LSR3

RFPowerFieldEffectTransistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradi

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MRF21085LSR3

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRF21085LSR3

RFPowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRF21085LSR3

封装/外壳:NI-780S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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MRF21085LSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21085LSR3

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-7-23 17:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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