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MRF21085LR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21085LR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21085LR3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2026-1-28 10:18:00
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