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MRF21060R3

RF Power Field Effect Transistors

2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N–CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA,CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts 5 MHz Offs

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21060R3

RF Power Field Effect Transistors

ETC

知名厂家

更新时间:2026-3-17 14:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
MOT
24+
NI-780
35210
一级代理/放心采购
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原装正品,支持实单
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