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MRF21060LR3

RF Power Field Effect Transistors

2110- 2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N- CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2100 to 2200 MHz. Suitable for W- CDMA, CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical 2- Carrier W- CDMA Performance: VDD= 28

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21060LR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21060LR3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2025-8-16 23:01:00
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