型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF21030LR3

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.0 to 2.2 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellul

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF21030LR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2000 to 2200 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular radio and WL

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21030LR3

封装/外壳:NI-400 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF21030LR3

2200 MHz, 30 W, 28 V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

MRF21030LR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21030LR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-3-2 9:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
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