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MRF19090SR3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications. • Typical CDMA Performance: 1

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF19090SR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications. • Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19090SR3

封装/外壳:NI-880S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF19090SR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF19090SR3

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-3-17 20:02:00
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