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MRF19060LR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications. • Typical CDMA Performance: 1960 MHz, 26 Volts IS-95 CDMA

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19060LR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF19060LR3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2025-9-27 11:30:00
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