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MRF18030BLSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz. • Typical GSM Performanc

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2026-5-19 23:10:00
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23+
NI-650H-4
8900
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NI-650H-4
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