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MRF18030BLSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz. • Typical GSM Performanc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18030BLSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18030BLSR3

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

更新时间:2025-11-22 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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00+
SMD
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FREESCALE
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465E03
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TO-59
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MOT
23+
模块
5000
原装正品,假一罚十
ON/ONSemiconductor/安森
24+
SMD
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新进库存/原装
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
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