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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF18030ALSR3 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz. • Typical GSM Performanc | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF18030ALSR3 | 封装/外壳：NI-400S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.88GHZ NI-400S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF18030ALSR3 | RF Power Field Effect Transistors 文件：508.05 Kbytes Page：8 Pages | Motorola 摩托罗拉 | |
MRF18030ALSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF18030ALSR3
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
NI400S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FREESCALE |
24+ |
NI-400S |
250 |
||||
MOT |
22+ |
高频管 |
350 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
FREE |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
MOTOROLA |
24+ |
TO-63 |
9630 |
我们只做原装正品现货!量大价优! |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
2023+ |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||||
2023+ |
3000 |
进口原装现货 |
|||||
FAIRCHILD |
23+ |
NI-400S |
9526 |
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- MRF2.5
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2020-3-26
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