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MRF18030ALSR3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz. • Typical GSM Performanc

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF18030ALSR3

封装/外壳:NI-400S 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.88GHZ NI-400S 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF18030ALSR3

RF Power Field Effect Transistors

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MOTOROLA

摩托罗拉

MRF18030ALSR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF18030ALSR3

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-3-9 18:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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