型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Darlington Transistor

Description This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from process 03. See MPSA28 for characteristics. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MPSA29_D26Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPSA29_D26Z

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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