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MPS2715晶体管资料

  • MPS2715别名:MPS2715三极管、MPS2715晶体管、MPS2715晶体三极管

  • MPS2715生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司_美国国民半导体公司

  • MPS2715制作材料

  • MPS2715性质:通用型 (Uni)

  • MPS2715封装形式:直插封装

  • MPS2715极限工作电压:18V

  • MPS2715最大电流允许值:0.05A

  • MPS2715最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MPS2715引脚数:3

  • MPS2715最大耗散功率:0.2W

  • MPS2715放大倍数:β>75

  • MPS2715图片代号:A-31

  • MPS2715vtest:18

  • MPS2715htest:999900

  • MPS2715atest:0.05

  • MPS2715wtest:0.2

  • MPS2715代换 MPS2715用什么型号代替

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN (FM RADIO AMP, MIX, CONV OSC, IF AMP)

FM RADIO AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP • High Power Gain Gpe = 30dB

SAMSUNG

三星

丝印代码:B1*;FM RADIO AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP

FM RADIO AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP

FAIRCHILD

仙童半导体

1.2 GHz LOW POWER CONSUMPTION WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

1.2 GHz LOW POWER CONSUMPTION WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low power consumption : 15 mW (VCC= 3.4 V, ICC= 4.5 mA) TYP. • High power gain : 19 dB TYP. @ f = 0.5 GHz • Excellent frequency response: 1.2 GHz TYP. @ 3 dB down below the ga

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瑞萨

1.2 GHz LOW POWER CONSUMPTION WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

1.2 GHz LOW POWER CONSUMPTION WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low power consumption : 15 mW (VCC= 3.4 V, ICC= 4.5 mA) TYP. • High power gain : 19 dB TYP. @ f = 0.5 GHz • Excellent frequency response: 1.2 GHz TYP. @ 3 dB down below the ga

NEC

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Complementary Switch FET Drivers

文件:274.63 Kbytes Page:8 Pages

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德州仪器

更新时间:2026-5-14 22:50:02
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