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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MPM3515GQV-AEC1-Z | 封装/外壳：17-PowerLQFN 模块 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：DC DC CONVERTER 0.8-30V 电源 - 板安装 直流转换器 | MPS 美国芯源 |   | |
MPM3515GQV-AEC1-Z | 封装/外壳：17-PowerLQFN 模块 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：DC DC CONVERTER 0.8-30V 电源 - 板安装 直流转换器 | MPS 美国芯源 | | |
36V, 1.5A Module, Synchronous, Step-Down Converter with an Integrated Inductor AEC-Q100 Qualified DESCRIPTION The MPM3515 is a synchronous, rectified, stepdown converter with built-in power MOSFETs, inductors, and capacitors. The MPM3515 offers a very compact solution and requires only four external components to achieve 1.5A of continuous output current with excellent load and line regulatio | MPS 美国芯源 | | ||
36V, 1.5A Module, Synchronous, Step-Down Converter with an Integrated Inductor AEC-Q100 Qualified 文件：1.10976 Mbytes Page：22 Pages | MPS 美国芯源 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPS |
22+23+ |
QFN |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
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MPS |
24+ |
QFN |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
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MPS |
24+ |
QFN |
39009 |
进口MPS原装现货 |
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MPS |
23+ |
QFN |
20000 |
||||
MPS |
25+ |
N/A |
15029 |
原装现货17377264928微信同号 |
|||
MPS/美国芯源 |
24+ |
QFN-17 |
5524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
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MPS |
17+ |
QFN |
1950 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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MPS |
24+ |
QFN |
8000 |
原装，正品 |
|||
Monolithic Power Systems Inc. |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
MPS(美国芯源) |
24+ |
17-PowerLQFN 模块 |
37048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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Microchip 的 PolarFire 是一款低功耗、多核 RISC-V SoC FPGA
2022-9-27MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销
MPS代理商授权经销，深圳市惊羽科技有限公司，刘先生:1314700-5145，QQ:43871025，货真价实，有问必回！
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2020-9-25MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R
2012-11-12
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