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SST39SF010-90-4C-PH	512Kbit/1Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF512/010areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternateappro	SST Silicon Storage Technology, Inc
SST39SF010-90-4C-WH	512Kbit/1Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF512/010areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternateappro	SST Silicon Storage Technology, Inc
SST39SF010-90-4I-NH	512Kbit/1Mbit(x8)Multi-PurposeFlash PRODUCTDESCRIPTION TheSST39SF512/010areCMOSMulti-PurposeFlash(MPF)manufacturedwithSST’sproprietary,highperformanceCMOSSuperFlashtechnology.Thesplit-gatecelldesignandthickoxidetunnelinginjectorattainbetterreliabilityandmanufacturabilitycomparedwithalternateappro	SST Silicon Storage Technology, Inc
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更新时间：2024-9-24 22:30:01

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MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。•浮动通道引导操作设计•全业务600V•容错负瞬态电压•的dV/dt的免疫R
2012-11-12

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