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MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

Features: • Avalanche Rugged Technology • Rugged Gate Oxide Technology • Lower Input Capacitance • Improved Gate Charge • Extended Safe Operating Area • Lower RDS(on): 0.032Ω Typ • Lower Leakage Current: 10µA (Max) @ VDS = 100V

NTE

3-Terminal Positive Regulator

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NSC

国半

LOW DROP OUT VOLTAGE REGULATOR

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更新时间:2026-5-23 11:06:01
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