80V半桥栅极驱动器

MP1906是一款高性能80V栅极驱动器，可在具有12V栅极电源的半桥配置中驱动两个外部N-MOSFET。它接受独立的栅极输入信号，并具有防直通功能。在欠压锁定期间，上管和下管驱动器的输出将被拉低，以避免低电源条件下不稳定的工作。该器件具备高电流驱动能力和较短的死区时间，非常适合电信DC-DC变换器等高功率和高效率电源应用。它采用紧凑的8引脚SOIC封装，最大程度地减少了元件数量，减小了占板空间。 • 驱动两个低成本、高效率的N-MOSFET\n• 10V-16V栅极驱动电源\n• 3.3V，5V逻辑兼容性\n• 80ns传播延迟\n• 静态电流小于90μA\n• 两个通道均提供欠压锁定保护\n• 输入信号重叠保护\n• 内部150ns死区时间\n• 采用紧凑的8引脚SOIC封装;

80V, Half-Bridge, Gate Driver

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80V, Half-Bridge, Gate Driver

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80V, High Frequency Half-Bridge Gate Driver EV Board

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封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器

Integrated Circuit Positive 3 Terminal Voltage Regulator, 18V, 100mA

Description: The NTE1906 is a positive 3–terminal voltage regulator in a TO92 type package suitable for numerous applications requiring up to 100mA. This device features thermal shutdown and current limiting making the NTE1906 remarkably rugged. In most applications, no external components are

SWITCHING REGULATOR CONTROL CIRCUIT FOR 500 kHz OPERATION?

[NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE

SWITCHING REGULATOR CONTROL CIRCUIT FOR 500 kHz OPERATION?

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TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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