型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMWA6P33K-F

Polyester Film Capacitors

文件:520.809 Kbytes Page:2 Pages

CDE

MMWA6P33K-F

High Capacitance, High Voltage

文件:74.43 Kbytes Page:3 Pages

CDE

MMWA6P33K-F

封装/外壳:轴向 包装:散装 描述:CAP FILM 0.33UF 10% 630VDC AXIAL 电容器 薄膜电容器

CDE

MMWA6P33K-F

薄膜电容

CDE

Polyester Film Capacitors Metallized Radial Leads

Metallized Radial Leads DC Applications Miniature Size Type DME radial-leaded, mini-dipped capacitors deliver virtually the same performance of other capacitors physically twice as big. Improvements in flm technology permit the use of thinner dielectric. Type DME self heals shorts caused by over

CDE

Type DME Polyester Film Capacitors

文件:493.26 Kbytes Page:4 Pages

CDE

Polyester Film Capacitors

文件:205.77 Kbytes Page:2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Polyester Film Capacitors Metallized Radial Leads

文件:205.79 Kbytes Page:2 Pages

CDE

Polyester Film Capacitors

文件:375.05 Kbytes Page:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MMWA6P33K-F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMWA6P33K-F

  • 功能描述

    薄膜电容器 630Vdc .33uF

  • RoHS

  • 制造商

    Cornell Dubilier

  • 电介质

    Polyester

  • 电容

    0.047 uF

  • 容差

    10 %

  • 电压额定值

    100 V

  • 系列

    225P

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 85 C

  • 端接类型

    Radial

  • 引线间隔

    9.5 mm

更新时间:2025-11-19 9:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
21+
开发板
10000
全新原装现货
TI
21+
开发板
10000
全新原装现货
TI
24+
开发板
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
TI
23+
开发板
12700
买原装认准中赛美
TI
2022+
开发板
7600
原厂原装,假一罚十
TI
25
开发板
6000
原装正品
CHINAXYJ
23+
SMD
9868
专做原装正品,假一罚百!
TI
24+
开发板
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
TI
21+
开发板
10000
只做原装,质量保证
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
2512/SMD
8400
新进库存/原装

MMWA6P33K-F数据表相关新闻

  • MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

    MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

    2025-2-19
  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MMSZ5243BT1

    MMSZ5243BT1 ,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-4
  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MMSZ5248BT1G

    MMSZ5248BT1G

    2019-11-15
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17