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位置：首页 > IC中文资料第5617页 > MMUN2113

MMUN2113晶体管资料

  • MMUN2113别名：MMUN2113三极管、MMUN2113晶体管、MMUN2113晶体三极管

  • MMUN2113生产厂家：

  • MMUN2113制作材料：Si-P+R

  • MMUN2113性质：表面帖装型 （SMD）

  • MMUN2113封装形式：贴片封装

  • MMUN2113极限工作电压：50V

  • MMUN2113最大电流允许值：0.1A

  • MMUN2113最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MMUN2113引脚数：3

  • MMUN2113最大耗散功率：0.4W

  • MMUN2113放大倍数：β>60

  • MMUN2113图片代号：H-15

  • MMUN2113vtest：50

  • MMUN2113htest：999900

  • MMUN2113atest：.1

  • MMUN2113wtest：.4

  • MMUN2113代换 MMUN2113用什么型号代替：UN2113,

MMUN2113价格

参考价格：￥0.0671

型号：MMUN2113LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMUN2113多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMUN2113批发/采购报价，MMUN2113行情走势销售排行榜，MMUN2113报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMUN2113

BiasResistorTransistor

PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMUN2113

BiasResistorTransistorPNPSilicon

BiasResistorTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free

WEITRONWEITRON

威堂電子科技

WEITRON
MMUN2113LT1

BiasResistorTransistors

PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMUN2113LT1

PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR

BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MMUN2113LT3

BiasResistorTransistors

PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMUN2113RLT1

BiasResistorTransistor

PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons

LRCLeshan Radio Co., Ltd

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC
MMUN2113L

DigitalTransistors(BRT)

文件：202.32 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113L

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47kA

文件：113.75 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113L

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47k

文件：148.97 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT1

PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR

文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT1G

DigitalTransistors(BRT)

文件：202.32 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT1G

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47k

文件：148.97 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT1G

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47kA

文件：113.75 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT3

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT3G

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47kA

文件：113.75 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT3G

DigitalTransistors(BRT)R1=47k,R2=47k

文件：148.97 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
MMUN2113LT3G

DigitalTransistors(BRT)

文件：202.32 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
2113A

Fieldbus,12Pr#16StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG

文件：257.079 Kbytes Page：3 Pages

BELDEN

Belden Inc.

BELDEN
2113-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
2113-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
2113-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns
2113-RC

HighCurrentToroidInductors

文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages

BournsBourns Inc.

伯恩斯（邦士）

Bourns

MMUN2113产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMUN2113

  • 制造商

    LRC

  • 制造商全称

    Leshan Radio Company

  • 功能描述

    Bias Resistor Transistor

MMUN2113供应商更多...

更新时间：2024-4-19 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
MMUN2113LT1G
ON
2020+
SOT23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
深圳市科创腾达科技有限公司
MMUN2113LT1
ON
21+
SOT23
8888888
全新原装现货价格优惠可开票
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MMUN2113LT1G
MSV/萌盛微
23+
NA/
6250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
MMUN2113LT1G
onsemi
23+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
深圳市品优时代科技有限公司
MMUN2113LT1G
ON/安森美
2021/2022+
NA
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
深圳市威雅利发展有限公司
MMUN2113LT1G
ON
202009+
SOT-23-3
4770
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
深圳市芯巴巴科技有限公司
MMUN2113LT1G
onsemi(安森美)
21+
SOT-23-3
10000
只做原装 假一赔万
询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司
MMUN2113LT1G
ON/安森美
2022+
5340
原厂原装,假一罚十
询价
深圳市冠亿通科技有限公司
MMUN2113LT3G
ON/安森美
21+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
深圳市纳立科技有限公司
MMUN2113LT3G
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
询价

MMUN2113芯片相关品牌

  • Altera
  • BILIN
  • Cree
  • ETC
  • HY
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  • OHMITE
  • RCD
  • spansion
  • TOKEN
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MMUN2113规格书下载地址

MMUN2113参数引脚图相关

MMUN2113数据表相关新闻

  • MMSZ5240B

    现货

    2020-11-14

  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13

  • MMSZ5243BT1

    MMSZ5243BT1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-4

  • MN101AF68G

    MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2

  • MMSZ5248BT1G

    MMSZ5248BT1G

    2019-11-15

  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳

    2013-3-17

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