型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMT05B350T3G

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

文件:63.56 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMT05B350T3G

封装/外壳:DO-214AA,SMB 包装:卷带(TR) 描述:THYRISTOR 300V 150A DO214AA 电路保护 TVS - 晶闸管

ONSEMI

安森美半导体

Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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ONSEMI

安森美半导体

MMT05B350T3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMT05B350T3G

  • 功能描述

    硅对称二端开关元件 50A Surge 350V

  • RoHS

  • 制造商

    Bourns 转折电流

  • VBO

    40 V 最大转折电流

  • IBO

    800 mA

  • 不重复通态电流

    额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    25 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    保持电流(Ih

  • 最大值)

    50 mA

  • 开启状态电压

    5 V 关闭状态电容

  • CO

    120 pF

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-214AA

更新时间:2025-8-11 17:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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