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MMSZ5259B-AU	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to51VoltsPOWER500mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •500mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincom	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
MMSZ5259B-AU_R1_000A1	封装/外壳：SOD-123 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
AD5259	Nonvolatile,I2C-Compatible256-Position,DigitalPotentiometer TheAD5259providesacompact,nonvolatileLFCSP-10(3mm×3mm)orMSOP-10(3mm×4.9mm)packagedsolutionfor256-positionadjustmentapplications.Thesedevicesperformthesameelectronicadjustmentfunctionasmechanicalpotentiometersorvariableresistors,butwithenhancedresolutionan	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD5259EVAL	Nonvolatile,I2C-Compatible256-Position,DigitalPotentiometer TheAD5259providesacompact,nonvolatileLFCSP-10(3mm×3mm)orMSOP-10(3mm×4.9mm)packagedsolutionfor256-positionadjustmentapplications.Thesedevicesperformthesameelectronicadjustmentfunctionasmechanicalpotentiometersorvariableresistors,butwithenhancedresolutionan	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
BD5259	VOLTAGEDETECTORIC Description BD52XXG/FVE,BD53XXG/FVEareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess. Newlineupof152typeswithdelaytimecircuithavedevelopedinadditiontowell-reputed152typesofVOLTAGEDETECTORICs.Anydelaytime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
AD5259	Nonvolatile,IC-Compatible256-Position,DigitalPotentiometer 文件：606.17 Kbytes Page：24 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AME5259A	1.2A,1.5MHzSynchronousStep-DownConverter 文件：360.09 Kbytes Page：21 Pages	AMEAnalogMicroElectronics，Inc. 安茂安茂微电子

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更新时间：2024-6-16 23:00:00

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2020-11-13
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MMSZ5243BT1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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2020-6-2
MMSZ5248BT1G
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2019-11-15
MNLM129A-X-精密基准
一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17

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