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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P?묬hannel SO?? These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low volt | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.02788 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
MMSF3P02HDR2SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMSF3P02HDR2SG
- 功能描述
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOIC-8 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
MOTOROLA |
22+ |
SOP |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON |
06+ |
SOP8 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
MOT |
24+ |
SOP8 |
5632 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
MOT |
24+ |
SMD |
5000 |
公司存货 |
|||
ON |
2023+ |
SOP8 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOIC-8 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
23+ |
SOP8 |
9896 |
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2020-6-20
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