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MMIS60R750PTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MMIS60R750PTH

600V0.75(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

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SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

SEMIHOW

SuperiorAvalancheRuggedTechnology

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SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

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600V0.75(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

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更新时间:2025-7-23 23:00:00
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