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MMF80R450PBTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MMF80R450PBTH

800V0.45ohmN-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

IscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

800V0.45(ohm)N-channelMOSFET

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MagnaChip Semiconductor.

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800V0.45ohmN-channelMOSFET

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更新时间:2024-5-23 14:08:00
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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