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MME80R290P | 800V0.29(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.38957 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. |  |   |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.29Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
800V0.29(ohm)N-channelMOSFET 文件：1.38957 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-30MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器
制造商:Microchip 产品种类:静态随机存取存储器 存储容量:128kbit 访问时间:30ns 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:4.5V 电源电流—最大值:110mA 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+125C 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:Flatpack-32 数据速率:SDR 类型:Asynchronous 商标
2019-11-29
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