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MMDT2227Q-7-F

40VCOMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR

Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>40V •IC=600mAHighCollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurf

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
更新时间:2024-6-6 10:10:00
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