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MMBT5551LT1	High Voltage Transistors High Voltage Transistors NPN Silicon	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT5551LT1	High Voltage Transistors(NPN Silicon) High Voltage Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LMBT5551LT1	High Voltage Transistors 文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT5551LT1G	High Voltage Transistors RoHS requirements. 文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LMBT5551LT1G	High Voltage Transistors 文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

MMBT5551LT1H供应商更多...

更新时间：2025-11-21 20:30:02

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深圳市恒达亿科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	25+	SOT-23	6000	全新原装现货、诚信经营!	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	MMBT5551LT1G	ON	21+	SOT-23	30000	全新原装鄙视假货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON	23+	SOT-23	113400		询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBT5551LT1G	ON(安森美)	24+	SOT-23(SOT-23-3)	9048	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT5551LT1	ON(安森美)	24+	标准封装	27048	全新原装正品/价格优惠/质量保障	询价

MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
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2025-7-22
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8
MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18
MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14